Электронная библиотека: Анализ структурных дефектов в выращенном по методу Чохральского GaAs и эпитаксиальных композициях на его основе

	Главная страница

Просмотр
	Разделы и коллекции
	По дате публикации
	По автору
	По заглавию
	По ключевым словам
	По номенклатуре специальностей
	По индексу УДК




Сотрудникам НББ:
	Подписка
	Мой кабинет авторизированные пользователи
	Редактировать профиль

Электронная библиотека >
Диссертации и авторефераты диссертаций >
Авторефераты диссертаций >

Идентификатор документа - используйте, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://dep.nlb.by/jspui/handle/nlb/29178

Заглавие:	Анализ структурных дефектов в выращенном по методу Чохральского GaAs и эпитаксиальных композициях на его основе
Автор(ы):	Власукова Людмила Александровна
Ключевые слова:	ДЕФЕКТЫ ПОЛУПРОВОДНИКИ ТЕРМИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА МОНАКРЫШТАЛІ ДЭФЕКТЫ ПАЎПРАВАДНІКІ ТЭРМІЧНАЯ АПРАЦОЎКА МОНОКРИСТАЛЛЫ
Дата публикации:	1995
Описание:	Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук 01.04.07 Библиогр.: с. 15 (8 назв.)
Индекс УДК:	548.3(043.3) 537.311.322(043.3)
Номенклатура специальности:	01.04.07
Находится в коллекции:	Авторефераты диссертаций

Файлы документа:

Файл	Описание	Размер	Формат
default.html		116 B	HTML	Открыть

Все документы в электронной библиотеке защищены авторским правом.

Программное обеспечение DSpace Copyright © 2002-2010 Duraspace - Обратная связь