DSpace  
 

Электронная библиотека >
Диссертации и авторефераты диссертаций >
Авторефераты диссертаций >

Идентификатор документа - используйте, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://dep.nlb.by/jspui/handle/nlb/30771

Заглавие: Оптически накачиваемые лазеры на эпитаксиальных слоях GaN и гетероструктурах с квантовыми ямами InGaN/GaN на подложках Si(III)
Автор(ы): Зубелевич Виталий Зигмундович
Ответственные лица и организации: Государственное научное учреждение "Институт физики им. Б. И. Степанова Национальной академии наук Беларуси"
Ключевые слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ
ОПТИЧЕСКАЯ НАКАЧКА
ИЗЛУЧАТЕЛИ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
КВАНТОВЫЕ ЯМЫ
СВЕТОДИОДЫ
ГАЛЛИЯ НИТРИД
ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ НАРАЩИВАНИЕ
ГАЗОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ
КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ
ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ
СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА
Дата публикации: 2010
Описание: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
01.04.21
Резюме на английском, русском, белорусском языках
Индекс УДК: 621.373.826.038.825.56:548.25(043.3)
621.793.162:661.868.1'046.1(043.3)
Номенклатура специальности: 01.04.21
Находится в коллекции:Авторефераты диссертаций

Файлы документа:

Файл Описание РазмерФормат
default.html131 BHTMLОткрыть

Все документы в электронной библиотеке защищены авторским правом.

 

Valid XHTML 1.0! Программное обеспечение DSpace Copyright © 2002-2010  Duraspace - Обратная связь