DSpace  
 

Электронная библиотека >
Диссертации и авторефераты диссертаций >
Авторефераты диссертаций >

Идентификатор документа - используйте, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://dep.nlb.by/jspui/handle/nlb/30955

Заглавие: Статическое экранирование и прыжковый перенос зарядов в полупроводниках
Автор(ы): Поклонский Николай Александрович
Ответственные лица и организации: Белорус. гос. ун-т
Ключевые слова: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА
ПОЛУПРОВОДНИКИ
ЭКРАНИРОВАНИЕ
ПЕРЕНОС ИОНОВ
ПРЫЖКОВАЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ
ФІЗІКА ЦВЁРДАГА ЦЕЛА
ЭКРАНІРАВАННЕ
ПЕРАНОС ІОНАЎ
КРЫШТАЛЯФІЗІКА
ДЭФЕКТЫ
СКАЧКОВАЯ ЭЛЕКТРАПРАВОДНАСЦЬ
КРИСТАЛЛОФИЗИКА
ДЕФЕКТЫ
ПАЎПРАВАДНІКІ
Дата публикации: 2001
Описание: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук
01.04.10
Рез. парал.: рус., белорус., англ
Библиогр.: c. 33-41 (61 назв.).
Индекс УДК: 537.311.322(043.3)
Номенклатура специальности: 01.04.10
Находится в коллекции:Авторефераты диссертаций

Файлы документа:

Файл Описание РазмерФормат
default.html116 BHTMLОткрыть

Все документы в электронной библиотеке защищены авторским правом.

 

Valid XHTML 1.0! Программное обеспечение DSpace Copyright © 2002-2010  Duraspace - Обратная связь