Электронная библиотека: Генерация, взаимодействие и отжиг радиационных дефектов в кремнии, арсениде галлия и высокомолекулярных соединениях при последовательной ионной имплантации

	Главная страница

Просмотр
	Разделы и коллекции
	По дате публикации
	По автору
	По заглавию
	По ключевым словам
	По номенклатуре специальностей
	По индексу УДК




Сотрудникам НББ:
	Подписка
	Мой кабинет авторизированные пользователи
	Редактировать профиль

Электронная библиотека >
Диссертации и авторефераты диссертаций >
Авторефераты диссертаций >

Идентификатор документа - используйте, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://dep.nlb.by/jspui/handle/nlb/35376

Заглавие:	Генерация, взаимодействие и отжиг радиационных дефектов в кремнии, арсениде галлия и высокомолекулярных соединениях при последовательной ионной имплантации
Автор(ы):	Оджаев Владимир Борисович
Ключевые слова:	ПОЛУПРОВОДНИКИ РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ КРЕМНИЙ ГАЛЛИЯ АРСЕНИД ГЕНЕРАЦИЯ (физ., техн.) ОТЖИГ ПАЎПРАВАДНІКІ РАДЫЯЦЫЙНЫЯ ДЭФЕКТЫ КРЭМНІЙ ГАЛІЮ АРСЕНІД ІОННАЕ ЛЕГІРАВАННЕ ГЕНЕРАЦЫЯ (фіз., тэхн.) АДПАЛ ПАЎПРАВАДНІКОВЫЯ ПРЫБОРЫ ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Дата публикации:	1999
Описание:	Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук 01.04.10 Библиогр.: c. 24-32 (87 назв.)
Индекс УДК:	621.315.592.002(043.3) 537.311.322:539.2(043.3)
Номенклатура специальности:	01.04.10
Находится в коллекции:	Авторефераты диссертаций

Файлы документа:

Файл	Описание	Размер	Формат
default.html		116 B	HTML	Открыть

Все документы в электронной библиотеке защищены авторским правом.

Программное обеспечение DSpace Copyright © 2002-2010 Duraspace - Обратная связь