|
Электронная библиотека >
Диссертации и авторефераты диссертаций >
Диссертации >
Идентификатор документа - используйте, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
http://dep.nlb.by/jspui/handle/nlb/41653
|
| Заглавие: | Реактивный импеданс кремниевых p+- n-диодов, обусловленный радиационными дефектами кристаллической структуры |
| Автор(ы): | Шпаковский, Сергей Васильевич |
| Дата публикации: | 2012 |
| Номенклатура специальности: | 01.04.10 |
| Находится в коллекции: | Диссертации
|
Все документы в электронной библиотеке защищены авторским правом.
|
