DSpace  
 

Электронная библиотека >
Диссертации и авторефераты диссертаций >
Диссертации >

Идентификатор документа - используйте, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://dep.nlb.by/jspui/handle/nlb/53543

Заглавие: Ионно-индуцированные аморфизация и кристаллизация полупроводников со структурой алмаза
Автор(ы): Гусаков Григорий Анатольевич
Ключевые слова: ПОЛУПРОВОДНИКИ
ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ
ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ
КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ
ПАЎПРАВАДНІКІ
ФАЗАВЫЯ ПЕРАХОДЫ
ІОННАЯ ІМПЛАНТАЦЫЯ
КРЫШТАЛІЗАЦЫЯ
ДЕФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ
Дата публикации: 1996
Описание: Дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
01.04.07
Библиогр.: л. 123-130 (136 назв.)
Индекс УДК: 537.311.322:539.1.04(043.3)
Номенклатура специальности: 01.04.07
Находится в коллекции:Диссертации

Файлы документа:

Файл Описание РазмерФормат
default.html115 BHTMLОткрыть

Все документы в электронной библиотеке защищены авторским правом.

 

Valid XHTML 1.0! Программное обеспечение DSpace Copyright © 2002-2010  Duraspace - Обратная связь