|
Электронная библиотека >
Просмотр по номенклатуре специальностей 01.04.10
Показаны результаты с 53 по 72 из 117
| Автор(ы) | Заглавие | Дата публикации | Вид | | Нгуен, Тхи Тхань Бинь | Парамагнитные свойства и структурные характеристики синтезированного ударно-волновым методом наноалмаза | 2018 | Диссертация |
| Нгуен Тхи Тхань Бинь | Парамагнитные свойства и структурные характеристики синтезированного ударно-волновым методом наноалмаза | 2018 | Автореферат диссертации |
| Комаров Борис Анатольевич | Параметры глубоких центров и их электрополевые зависимости в кремнии и германии по данным емкостной спектроскопии | 1999 | Автореферат диссертации |
| Во Куанг Нья | Перенос заряда в кремниевых p+–n-структурах, облученных высокоэнергетическими ионами висмута, криптона, ксенона | 2014 | Диссертация |
| Пономарь Владимир Николаевич | Планаризация диэлектрика и повышение термостабильности алюминия при создании интегральных схем | 1998 | Автореферат диссертации |
| Зарецкая Елена Петровна | Получение пленок твердых растворов CuInxGa1-xSe2 импульсным лазерным осаждением и исследование их физических свойств | 1995 | Диссертация |
| Петров Владимир Васильевич | Примесно-дефектное взаимодействие в кремнии, легированном лантаноидами, алюминием и изовалентными примесями | 1999 | Автореферат диссертации |
| Шаршунов Дмитрий Вячеславович | Проводимость алмаза, индуцированная оптическим и ионизирующим излучением | 2003 | Автореферат диссертации |
| Вабищевич Сергей Ананьевич | Процессы дефектообразования в кремнии и фосфиде галлия, легированных редкоземельными элементами и изовалентными примесями | 1997 | Автореферат диссертации |
| Вабищевич Сергей Ананьевич | Процессы дефектообразования в кремнии и фосфиде галлия, легированных редкоземельными элементами и изовалентными примесями | 1997 | Диссертация |
| Тралле Игорь Евгеньевич | Процессы переноса заряда в полупроводниках и структура полупроводник-диэлектрик в условиях воздействия электромагнитного поля | 1996 | Автореферат диссертации |
| Вырко Сергей Александрович | Проявление электростатических взаимодействий в люминесценции и электропроводности легированных полупроводниковых систем | 2002 | Автореферат диссертации |
| Ермолаев Олег Павлович | Прыжковая проводимость и переход диэлектрик-металл в кристаллическом германии, разупорядоченном радиацией | 1997 | Автореферат диссертации |
| Кучинский Петр Васильевич | Радиационное дефектообразование в кремнии и структурах на его основе в зависимости от уровня легирования и примесного состава | 1999 | Автореферат диссертации |
| Шуша Валерий Васильевич | Радиационные дефекты и рекомбинация носителей в кремнии, облученном гамма-квантами высоких энергий | 1981 | Автореферат диссертации |
| Челядинский Алексей Романович | Радиационные дефекты междоузельного типа и их влияние на электрическую активацию и диффузию имплантированных примесей в кремнии | 2000 | Автореферат диссертации |
| Лукашевич Михаил Григорьевич | Размерно-и спин-зависимый магнитотранспорт носителей заряда в бинарных системах при переходах диэлектрик-металл | 2011 | Автореферат диссертации |
| Лукашевич, Михаил Григорьевич | Размерно- и спин-зависимый перенос электронов в магнитном поле в полупроводниках и радиационно-термически модифицированных полимерах при переходах диэлектрик-металл | 2014 | Автореферат диссертации |
| Шпаковский, Сергей Васильевич | Реактивный импеданс кремниевых p+- n-диодов, обусловленный радиационными дефектами кристаллической структуры | 2012 | Диссертация |
| Шпаковский, Сергей Васильевич | Реактивный импеданс кремниевых p+-n-диодов, обусловленный радиационными дефектами кристаллической структуры | 2012 | Автореферат диссертации |
Показаны результаты с 53 по 72 из 117
|
